casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / 23LCV512-E/SN
codice articolo del costruttore | 23LCV512-E/SN |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-23LCV512-E/SN |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
23LCV512-E/SN Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | NVSRAM |
Tecnologia | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
Dimensione della memoria | 512Kb (64K x 8) |
Frequenza di clock | 20MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | SPI - Dual I/O |
Tensione - Fornitura | 2.5V ~ 5.5V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SOIC |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
23LCV512-E/SN Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 23LCV512-E/SN-FT |
93C66-E/SN
Microchip Technology
93C66A-E/SN
Microchip Technology
93C66AT-E/SN
Microchip Technology
93C66AT-I/SN
Microchip Technology
93C66BT-E/SN
Microchip Technology
93C66BT-I/SN
Microchip Technology
93C66C-E/SN
Microchip Technology
93C66CT-E/SN
Microchip Technology
93C66T-E/SN
Microchip Technology
93C86C-E/SN
Microchip Technology
LCMXO2-2000ZE-1TG144I
Lattice Semiconductor Corporation
AGLN125V5-CSG81
Microsemi Corporation
A54SX16A-1FGG256M
Microsemi Corporation
A3P250-2VQ100
Microsemi Corporation
10M04DAF256C7G
Intel
EP4CE6F17C8
Intel
XC5VLX50-1FFG676CES
Xilinx Inc.
LFXP6C-5QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-70SE-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SE230F29C3N
Intel