casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / 23K640-E/SN
codice articolo del costruttore | 23K640-E/SN |
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Numero di parte futuro | FT-23K640-E/SN |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
23K640-E/SN Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | SRAM |
Tecnologia | SRAM |
Dimensione della memoria | 64Kb (8K x 8) |
Frequenza di clock | 20MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | SPI |
Tensione - Fornitura | 2.7V ~ 3.6V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SOIC |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
23K640-E/SN Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 23K640-E/SN-FT |
24LC16BH-E/SN
Microchip Technology
24LC16BHT-E/SN
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24VL014T/SN
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25LC040A-H/SN
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25LC040AT-H/SN
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25LC080B-E/SN
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25LC080BT-E/SN
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47C16T-E/SN
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11AA020T-I/SN
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11AA02UIDT-I/SN
Microchip Technology
XC4006E-2TQ144I
Xilinx Inc.
A54SX32A-CQ208M
Microsemi Corporation
M2GL050-1VFG400
Microsemi Corporation
10CX220YF780I5G
Intel
5CGXFC4F6M11I7N
Intel
XC7VX690T-L2FFG1761E
Xilinx Inc.
A42MX09-TQG176
Microsemi Corporation
A42MX16-1PQ160
Microsemi Corporation
LFE2M35SE-6F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K200EBC356-2
Intel