casa / prodotti / resistenze / Resistori a foro passante / 23J1K0E
codice articolo del costruttore | 23J1K0E |
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Numero di parte futuro | FT-23J1K0E |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | 20 |
23J1K0E Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Resistenza | 1 kOhms |
Tolleranza | ±5% |
Potenza (Watt) | 3W |
Composizione | Wirewound |
Caratteristiche | Flame Retardant Coating, Safety |
Coefficiente di temperatura | ±30ppm/°C |
temperatura di esercizio | - |
Pacchetto / caso | Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | Axial |
Dimensione / Dimensione | 0.220" Dia x 0.516" L (5.60mm x 13.10mm) |
Altezza - Seduto (max) | - |
Numero di terminazioni | 2 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
23J1K0E Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 23J1K0E-FT |
25J3K0
Ohmite
25J3K0E
Ohmite
25J3K5
Ohmite
25J3K9
Ohmite
25J3K9E
Ohmite
25J3R0
Ohmite
25J40R
Ohmite
25J450
Ohmite
25J450E
Ohmite
25J470
Ohmite
EX64-TQ64
Microsemi Corporation
A3P600-FGG256I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-1PQ208
Microsemi Corporation
LFE3-17EA-6LFTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C16E144A7N
Intel
5SEEBH40C4N
Intel
XC6VHX380T-2FF1923CES9945
Xilinx Inc.
XC5VLX110-1FF676I
Xilinx Inc.
A54SX08A-2TQ100
Microsemi Corporation
5SGXMA3H3F35C2N
Intel