casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / 23A640-I/P
codice articolo del costruttore | 23A640-I/P |
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Numero di parte futuro | FT-23A640-I/P |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
23A640-I/P Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | SRAM |
Tecnologia | SRAM |
Dimensione della memoria | 64Kb (8K x 8) |
Frequenza di clock | 20MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | SPI |
Tensione - Fornitura | 1.7V ~ 1.95V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | 8-DIP (0.300", 7.62mm) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-PDIP |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
23A640-I/P Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 23A640-I/P-FT |
24C02C-I/P
Microchip Technology
25LC1024-I/P
Microchip Technology
AT24HC02C-PUM
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24LC01B-I/P
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AT24HC04B-PU
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93LC46C-I/P
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AT93C46E-PU
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AT24C01D-PUM
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AT24C04C-PUM
Microchip Technology
AT24C04D-PUM
Microchip Technology
EPF8820ATC144-3
Intel
M2GL025T-1FG484
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5SGXEB6R2F43C2L
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EP4SE360F35C4
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XC5VLX50T-3FF1136C
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XC7K355T-1FFG901C
Xilinx Inc.
A54SX16A-1TQ100I
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A40MX04-PQ100M
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EP3CLS100F780I7
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EP1S25F1020I6N
Intel