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codice articolo del costruttore | 2100HT-3R9-H-RC |
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Numero di parte futuro | FT-2100HT-3R9-H-RC |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | 2100HT |
2100HT-3R9-H-RC Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Toroidal |
Materiale: core | - |
Induttanza | 3.9µH |
Tolleranza | ±15% |
Valutazione attuale | 15.3A |
Corrente - Saturazione | - |
Schermatura | Shielded |
Resistenza DC (DCR) | 5 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frequenza - Autorisonante | - |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 200°C |
Frequenza di induttanza - Test | 1kHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | Radial |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Dimensione / Dimensione | 0.860" Dia (21.84mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.450" (11.43mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2100HT-3R9-H-RC Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 2100HT-3R9-H-RC-FT |
2308-V
Bourns Inc.
2309-V
Bourns Inc.
2310-V
Bourns Inc.
2311-V
Bourns Inc.
2312-V
Bourns Inc.
2313-V
Bourns Inc.
2314-V
Bourns Inc.
2315-V
Bourns Inc.
2316-V
Bourns Inc.
2317-V
Bourns Inc.
XC3S500E-4VQG100I
Xilinx Inc.
A54SX32A-2TQG176I
Microsemi Corporation
M2GL025T-1FGG484
Microsemi Corporation
10AX032E3F29I2SG
Intel
EP4CGX22BF14C8N
Intel
EP4SE530H40I3N
Intel
5SGXEA4H2F35I2N
Intel
A40MX02-1PQ100M
Microsemi Corporation
LFEC10E-4F256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX130GF40C4NES
Intel