casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / 1SS196(TE85L,F)
codice articolo del costruttore | 1SS196(TE85L,F) |
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Numero di parte futuro | FT-1SS196(TE85L,F) |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
1SS196(TE85L,F) Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 80V |
Corrente: media rettificata (Io) | 100mA |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.2V @ 100mA |
Velocità | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tempo di recupero inverso (trr) | 4ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 500nA @ 80V |
Capacità @ Vr, F | 3pF @ 0V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SC-59-3 |
Temperatura operativa - Giunzione | 125°C (Max) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1SS196(TE85L,F) Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 1SS196(TE85L,F)-FT |
DSS6-0025BS
IXYS
DSS6-0045AS
IXYS
DSS6-015AS
IXYS
DURD560A
Littelfuse Inc.
MBRD1020CT-TP
Micro Commercial Co
MBRD5100-TP
Micro Commercial Co
MBRD5100HL-TP
Micro Commercial Co
GP2D003A060C
Global Power Technologies Group
GP2D003A065C
Global Power Technologies Group
GP2D006A060C
Global Power Technologies Group
A54SX16P-2TQG144I
Microsemi Corporation
LCMXO2-1200ZE-1TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC7K410T-2FBG676C
Xilinx Inc.
EP2AGX65DF25C5
Intel
5SGXMABN3F45I3N
Intel
5SGXMA5H2F35I3N
Intel
XCV50-5BG256I
Xilinx Inc.
A42MX09-TQG176I
Microsemi Corporation
LFEC20E-3FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC7D6F31I7
Intel