casa / prodotti / Protezione del circuito / TVS - Diodi / 1N8174US
codice articolo del costruttore | 1N8174US |
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Numero di parte futuro | FT-1N8174US |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | * |
1N8174US Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | - |
Canali unidirezionali | - |
Canali bidirezionali | - |
Voltage - Reverse Standoff (Typ) | - |
Voltage - Breakdown (Min) | - |
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp | - |
Corrente - Impulso di picco (10 / 1000μs) | - |
Potenza - Peak Pulse | - |
Protezione della linea di alimentazione | - |
applicazioni | - |
Capacità @ frequenza | - |
temperatura di esercizio | - |
Tipo di montaggio | - |
Pacchetto / caso | - |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N8174US Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 1N8174US-FT |
1N6120US
Microsemi Corporation
1N6121US
Microsemi Corporation
1N6122US
Microsemi Corporation
1N6123US
Microsemi Corporation
1N6124US
Microsemi Corporation
1N6125US
Microsemi Corporation
1N6126US
Microsemi Corporation
1N6127US
Microsemi Corporation
1N6128US
Microsemi Corporation
1N6129US
Microsemi Corporation
LCMXO2280E-5T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S50A-4FTG256I
Xilinx Inc.
XC3S400-4PQG208I
Xilinx Inc.
LCMXO1200E-3FT256I
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXMA5N3F45I4N
Intel
5SGXMB6R1F43I2N
Intel
XA7S25-1CSGA225Q
Xilinx Inc.
LCMXO2280C-3M132C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL70F780C4
Intel
EP2S60F1020C4N
Intel