casa / prodotti / Protezione del circuito / TVS - Diodi / 1N8173US
codice articolo del costruttore | 1N8173US |
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Numero di parte futuro | FT-1N8173US |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | * |
1N8173US Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | - |
Canali unidirezionali | - |
Canali bidirezionali | - |
Voltage - Reverse Standoff (Typ) | - |
Voltage - Breakdown (Min) | - |
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp | - |
Corrente - Impulso di picco (10 / 1000μs) | - |
Potenza - Peak Pulse | - |
Protezione della linea di alimentazione | - |
applicazioni | - |
Capacità @ frequenza | - |
temperatura di esercizio | - |
Tipo di montaggio | - |
Pacchetto / caso | - |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N8173US Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 1N8173US-FT |
1N6072
Microsemi Corporation
1N6119US
Microsemi Corporation
1N6120US
Microsemi Corporation
1N6121US
Microsemi Corporation
1N6122US
Microsemi Corporation
1N6123US
Microsemi Corporation
1N6124US
Microsemi Corporation
1N6125US
Microsemi Corporation
1N6126US
Microsemi Corporation
1N6127US
Microsemi Corporation
XC4013XL-1HT144C
Xilinx Inc.
LFEC1E-3T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7A100T-1FGG676I
Xilinx Inc.
XC4052XL-3HQ304C
Xilinx Inc.
A54SX16A-2PQ208
Microsemi Corporation
A1020B-2PLG68C
Microsemi Corporation
5SGXEA5K3F35C2LN
Intel
5SGXEA3K2F35C2N
Intel
EP3SE80F1152I4N
Intel
LFE3-95EA-7LFN484I
Lattice Semiconductor Corporation