codice articolo del costruttore | 1N6659 |
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Numero di parte futuro | FT-1N6659 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
1N6659 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Discontinued at Future Semiconductor |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Anode |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 15A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.2V @ 20A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 35ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 200V |
Temperatura operativa - Giunzione | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads) |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-254AA |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N6659 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 1N6659-FT |
MBR40100PTE3/TU
Microsemi Corporation
JANTX1N6660
Microsemi Corporation
JANTX1N6511
Microsemi Corporation
FST8145
Microsemi Corporation
FST80150SM5C
Microsemi Corporation
FST153100
Microsemi Corporation
FST153100A
Microsemi Corporation
FST153100D
Microsemi Corporation
FST60100
Microsemi Corporation
FST60100A
Microsemi Corporation
XC3S1000-4FTG256I
Xilinx Inc.
APA750-PQG208I
Microsemi Corporation
5SGXEA7K2F35I2LN
Intel
XC7K410T-L2FFG676I
Xilinx Inc.
A42MX16-PQ160A
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HE-5FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC7D6F31I7
Intel
EP2AGX125EF35C5
Intel
EP4SGX360FF35I3
Intel
5SGSMD3H1F35C1N
Intel