casa / prodotti / Protezione del circuito / TVS - Diodi / 1N6382-E3/73
codice articolo del costruttore | 1N6382-E3/73 |
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Numero di parte futuro | FT-1N6382-E3/73 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TransZorb® |
1N6382-E3/73 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Zener |
Canali unidirezionali | - |
Canali bidirezionali | 1 |
Voltage - Reverse Standoff (Typ) | 8V |
Voltage - Breakdown (Min) | 9.4V |
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp | 11.6V |
Corrente - Impulso di picco (10 / 1000μs) | 100A |
Potenza - Peak Pulse | 1500W (1.5kW) |
Protezione della linea di alimentazione | No |
applicazioni | General Purpose |
Capacità @ frequenza | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | DO-201AA, DO-27, Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | 1.5KE |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N6382-E3/73 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 1N6382-E3/73-FT |
1N6275AHE3_A/C
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N6276A-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N6276A-E3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N6276AHE3_A/C
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N6277A-E3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N6277AHE3_A/C
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N6278A-E3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N6278A-E3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N6278AHE3_A/C
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N6279A-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO2-1200HC-6TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
A3P600-1FG256
Microsemi Corporation
M1AGL1000V5-FG256
Microsemi Corporation
A3P250-2VQ100
Microsemi Corporation
EP1S10B672C7
Intel
5SGXEA9N3F45C2L
Intel
XC5VSX35T-2FFG665I
Xilinx Inc.
XC4VFX20-11FFG672C
Xilinx Inc.
AGLP060V2-CSG289I
Microsemi Corporation
A42MX24-2TQ176I
Microsemi Corporation