casa / prodotti / Protezione del circuito / TVS - Diodi / 1N6377-E3/51
codice articolo del costruttore | 1N6377-E3/51 |
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Numero di parte futuro | FT-1N6377-E3/51 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TransZorb® |
1N6377-E3/51 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Zener |
Canali unidirezionali | 1 |
Canali bidirezionali | - |
Voltage - Reverse Standoff (Typ) | 15V |
Voltage - Breakdown (Min) | 17.6V |
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp | 20.6V |
Corrente - Impulso di picco (10 / 1000μs) | 60A |
Potenza - Peak Pulse | 1500W (1.5kW) |
Protezione della linea di alimentazione | No |
applicazioni | General Purpose |
Capacità @ frequenza | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | DO-201AA, DO-27, Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | 1.5KE |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N6377-E3/51 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 1N6377-E3/51-FT |
1N6271AHE3_A/C
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N6272A-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N6272A-E3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N6272AHE3_A/C
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N6273A-E3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N6273AHE3_A/C
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N6275A-E3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N6275A-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N6275A-E3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N6275AHE3_A/C
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC6SLX150-2FGG900I
Xilinx Inc.
AGL1000V5-FG484I
Microsemi Corporation
LCMXO3LF-2100E-5UWG49ITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
10AX022E3F29I2LG
Intel
EP4CE6E22C8L
Intel
5SGXEB5R3F43I3L
Intel
5SGXMA7H3F35I4N
Intel
APA075-TQ100
Microsemi Corporation
A54SX08A-2TQG100I
Microsemi Corporation
AGL1000V2-CS281
Microsemi Corporation