casa / prodotti / Protezione del circuito / TVS - Diodi / 1N6376HE3_A/C
codice articolo del costruttore | 1N6376HE3_A/C |
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Numero di parte futuro | FT-1N6376HE3_A/C |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, TransZorb® |
1N6376HE3_A/C Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Zener |
Canali unidirezionali | 1 |
Canali bidirezionali | - |
Voltage - Reverse Standoff (Typ) | 12V |
Voltage - Breakdown (Min) | 14.1V |
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp | 16.5V |
Corrente - Impulso di picco (10 / 1000μs) | 70A |
Potenza - Peak Pulse | 1500W (1.5kW) |
Protezione della linea di alimentazione | No |
applicazioni | Automotive |
Capacità @ frequenza | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | DO-201AA, DO-27, Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | 1.5KE |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N6376HE3_A/C Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 1N6376HE3_A/C-FT |
1N6271A-E3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N6271AHE3_A/C
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N6272A-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N6272A-E3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N6272AHE3_A/C
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N6273A-E3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N6273AHE3_A/C
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N6275A-E3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N6275A-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N6275A-E3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
LFXP3E-3TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S400AN-5FTG256C
Xilinx Inc.
A3PN030-Z1VQ100
Microsemi Corporation
5CGTFD7D5F27I7N
Intel
XC2VP50-5FFG1152C
Xilinx Inc.
XC2VP7-6FF896I
Xilinx Inc.
A54SX32A-TQ100I
Microsemi Corporation
LFE3-150EA-6LFN1156I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K160EQC240-3N
Intel
EP4SGX110HF35I4
Intel