casa / prodotti / Protezione del circuito / TVS - Diodi / 1N6373-E3/73
codice articolo del costruttore | 1N6373-E3/73 |
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Numero di parte futuro | FT-1N6373-E3/73 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TransZorb® |
1N6373-E3/73 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Zener |
Canali unidirezionali | 1 |
Canali bidirezionali | - |
Voltage - Reverse Standoff (Typ) | 5V |
Voltage - Breakdown (Min) | 6V |
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp | 7.5V |
Corrente - Impulso di picco (10 / 1000μs) | 160A |
Potenza - Peak Pulse | 1500W (1.5kW) |
Protezione della linea di alimentazione | No |
applicazioni | General Purpose |
Capacità @ frequenza | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | DO-201AA, DO-27, Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | 1.5KE |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N6373-E3/73 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 1N6373-E3/73-FT |
1N6267AHE3_A/C
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N6268A-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N6268A-E3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N6268AHE3_A/C
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N6269A-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N6269A-E3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N6269AHE3_A/C
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N6270A-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N6270A-E3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N6270AHE3_A/C
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO640E-4TN100C
Lattice Semiconductor Corporation
AFS250-FG256I
Microsemi Corporation
LFE2M70SE-5FN1152I
Lattice Semiconductor Corporation
AGL030V5-VQG100I
Microsemi Corporation
5CGXFC4F6M11C7N
Intel
XC4VFX40-10FFG672C
Xilinx Inc.
AX500-2FG676I
Microsemi Corporation
LFE2M50SE-6F900C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K30AQI208-3N
Intel
EP4SGX110HF35I3
Intel