casa / prodotti / Protezione del circuito / TVS - Diodi / 1N6361
codice articolo del costruttore | 1N6361 |
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Numero di parte futuro | FT-1N6361 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
1N6361 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Zener |
Canali unidirezionali | 1 |
Canali bidirezionali | - |
Voltage - Reverse Standoff (Typ) | 18V |
Voltage - Breakdown (Min) | 21.2V |
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp | 25.2V |
Corrente - Impulso di picco (10 / 1000μs) | 50A |
Potenza - Peak Pulse | 1500W (1.5kW) |
Protezione della linea di alimentazione | No |
applicazioni | General Purpose |
Capacità @ frequenza | - |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | DO-13 |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-13 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N6361 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 1N6361-FT |
1N5648
Littelfuse Inc.
1N5648A
Microsemi Corporation
1N5649
Microsemi Corporation
1N5649A
Microsemi Corporation
1N5650
Microsemi Corporation
1N5650A
Microsemi Corporation
1N5651A
Microsemi Corporation
1N5652
Microsemi Corporation
1N5653
Microsemi Corporation
1N5654
Microsemi Corporation
XC3S200-5FT256C
Xilinx Inc.
XA6SLX45T-2FGG484I
Xilinx Inc.
APA1000-BGG456
Microsemi Corporation
A42MX24-FPQ208
Microsemi Corporation
5AGZME3E2H29C3N
Intel
10M08DFV81C8G
Intel
XC5VLX110T-2FF1136C
Xilinx Inc.
XC7K160T-L2FBG484I
Xilinx Inc.
LFXP2-8E-6QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-50E-5FN672C
Lattice Semiconductor Corporation