casa / prodotti / Protezione del circuito / TVS - Diodi / 1N6147
codice articolo del costruttore | 1N6147 |
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Numero di parte futuro | FT-1N6147 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
1N6147 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Zener |
Canali unidirezionali | - |
Canali bidirezionali | 1 |
Voltage - Reverse Standoff (Typ) | 12.2V (Max) |
Voltage - Breakdown (Min) | 14.4V |
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp | 23.4V |
Corrente - Impulso di picco (10 / 1000μs) | 64.1A |
Potenza - Peak Pulse | 1500W (1.5kW) |
Protezione della linea di alimentazione | No |
applicazioni | General Purpose |
Capacità @ frequenza | - |
temperatura di esercizio | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | Axial |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N6147 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 1N6147-FT |
1N6111US
Semtech Corporation
1N6112
Semtech Corporation
1N6112AUS
Semtech Corporation
1N6112US
Semtech Corporation
1N6113
Semtech Corporation
1N6113AUS
Semtech Corporation
1N6113US
Semtech Corporation
1N6114
Semtech Corporation
1N6114A
Semtech Corporation
1N6114AUS
Semtech Corporation
XC3S100E-5TQG144C
Xilinx Inc.
LCMXO2-1200ZE-3TG100IR1
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1000-5FG676C
Xilinx Inc.
M1AFS600-FG484K
Microsemi Corporation
APA600-BGG456M
Microsemi Corporation
EPF10K50EFC484-3N
Intel
EP2C15AF256C8N
Intel
5AGXMA1D4F27C5N
Intel
EP2SGX30CF780C3
Intel
EP4CE115F29C9LN
Intel