casa / prodotti / Protezione del circuito / TVS - Diodi / 1N6120AUS
codice articolo del costruttore | 1N6120AUS |
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Numero di parte futuro | FT-1N6120AUS |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
1N6120AUS Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Zener |
Canali unidirezionali | - |
Canali bidirezionali | 1 |
Voltage - Reverse Standoff (Typ) | 29.7V |
Voltage - Breakdown (Min) | 37.1V |
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp | 53.6V |
Corrente - Impulso di picco (10 / 1000μs) | 9.3A |
Potenza - Peak Pulse | 500W |
Protezione della linea di alimentazione | No |
applicazioni | General Purpose |
Capacità @ frequenza | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SQ-MELF, B |
Pacchetto dispositivo fornitore | B, SQ-MELF |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N6120AUS Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 1N6120AUS-FT |
JAN1N6151A
Microsemi Corporation
JAN1N6152A
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JAN1N6153A
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JAN1N6154A
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JAN1N6155A
Microsemi Corporation
JAN1N6156A
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JAN1N6157A
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JAN1N6158A
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JAN1N6159A
Microsemi Corporation
JAN1N6160A
Microsemi Corporation
XC4005E-4TQ144C
Xilinx Inc.
XCV100E-7FG256C
Xilinx Inc.
XCKU11P-1FFVE1517I
Xilinx Inc.
M2GL090T-FCSG325I
Microsemi Corporation
A54SX72A-1FG484
Microsemi Corporation
5SGXEBBR2H43I2L
Intel
A42MX09-TQG176
Microsemi Corporation
10AX032E1F27I1HG
Intel
EP20K600EBC652-1
Intel
EP1C4F324C6
Intel