codice articolo del costruttore | 1N6097 |
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Numero di parte futuro | FT-1N6097 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
1N6097 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 30V |
Corrente: media rettificata (Io) | 50A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 700mV @ 50A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5mA @ 30V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Chassis, Stud Mount |
Pacchetto / caso | DO-203AB, DO-5, Stud |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-5 |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N6097 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 1N6097-FT |
150K80A
GeneSiC Semiconductor
150KR100A
GeneSiC Semiconductor
150KR20A
GeneSiC Semiconductor
150KR80A
GeneSiC Semiconductor
1N1183
GeneSiC Semiconductor
1N1183A
GeneSiC Semiconductor
1N1183AR
GeneSiC Semiconductor
1N1183R
GeneSiC Semiconductor
1N1186
GeneSiC Semiconductor
1N1187
GeneSiC Semiconductor
A54SX32A-1TQG144I
Microsemi Corporation
AT40K20LV-3BQI
Microchip Technology
M2GL025TS-1FCSG325
Microsemi Corporation
A3P600-1FGG484
Microsemi Corporation
A3PN010-QNG48I
Microsemi Corporation
A3PE600-FG256I
Microsemi Corporation
M1A3P400-2PQ208I
Microsemi Corporation
10M04SCE144C8G
Intel
5SGXMA9N3F45I3N
Intel
XC5VLX110T-3FFG1738C
Xilinx Inc.