codice articolo del costruttore | 1N6097 |
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Numero di parte futuro | FT-1N6097 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
1N6097 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 30V |
Corrente: media rettificata (Io) | 50A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 700mV @ 50A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5mA @ 30V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Chassis, Stud Mount |
Pacchetto / caso | DO-203AB, DO-5, Stud |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-5 |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N6097 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 1N6097-FT |
150K80A
GeneSiC Semiconductor
150KR100A
GeneSiC Semiconductor
150KR20A
GeneSiC Semiconductor
150KR80A
GeneSiC Semiconductor
1N1183
GeneSiC Semiconductor
1N1183A
GeneSiC Semiconductor
1N1183AR
GeneSiC Semiconductor
1N1183R
GeneSiC Semiconductor
1N1186
GeneSiC Semiconductor
1N1187
GeneSiC Semiconductor
XC4005XL-3PQ100C
Xilinx Inc.
XA3SD1800A-4CSG484Q
Xilinx Inc.
A3PE1500-1FG484I
Microsemi Corporation
A54SX08A-1PQG208I
Microsemi Corporation
EP2S15F484C4
Intel
EP4CE115F23C9L
Intel
EP3SE80F1152C3
Intel
XC2V1500-5BGG575C
Xilinx Inc.
EP2SGX30CF780C5N
Intel
EP4SGX230FF35C4N
Intel