casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Zener - Single / 1N6009B
codice articolo del costruttore | 1N6009B |
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Numero di parte futuro | FT-1N6009B |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
1N6009B Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Voltage - Zener (Nom) (Vz) | 24V |
Tolleranza | ±5% |
Potenza - Max | 500mW |
Impedenza (Max) (Zzt) | 62 Ohms |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100nA @ 18V |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 200mA |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 175°C |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | DO-204AH, DO-35, Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-35 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N6009B Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 1N6009B-FT |
1N5990C
Microsemi Corporation
1N5991B
Microsemi Corporation
1N5991C
Microsemi Corporation
1N5992B
Microsemi Corporation
1N3155AE3
Microsemi Corporation
1N4573A-1
Microsemi Corporation
1N821
Microsemi Corporation
1N822
Microsemi Corporation
1N823-1
Microsemi Corporation
1N825-1
Microsemi Corporation
XC3S100E-4TQG144C
Xilinx Inc.
A54SX08-TQ144
Microsemi Corporation
XC2VP70-6FFG1517C
Xilinx Inc.
XC2VP4-6FG456C
Xilinx Inc.
EP2C35U484C6N
Intel
EP3C55F484C8
Intel
EP4CE22E22C6
Intel
5SGXEB5R2F43I2L
Intel
EP3SL340H1152C4
Intel
LFE2M50SE-5F900C
Lattice Semiconductor Corporation