casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Zener - Single / 1N6001D
codice articolo del costruttore | 1N6001D |
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Numero di parte futuro | FT-1N6001D |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
1N6001D Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Voltage - Zener (Nom) (Vz) | 11V |
Tolleranza | ±1% |
Potenza - Max | 500mW |
Impedenza (Max) (Zzt) | 18 Ohms |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100nA @ 8.4V |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 200mA |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 175°C |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | DO-204AH, DO-35, Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-35 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N6001D Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 1N6001D-FT |
1N5739C
Microsemi Corporation
1N5739D
Microsemi Corporation
1N5740B
Microsemi Corporation
1N5740C
Microsemi Corporation
1N5740D
Microsemi Corporation
1N5741B
Microsemi Corporation
1N5741C
Microsemi Corporation
1N5741D
Microsemi Corporation
1N5742B
Microsemi Corporation
1N5742D
Microsemi Corporation
XC6SLX150-N3FGG676I
Xilinx Inc.
EP1K100FC256-3
Intel
EP4SGX180KF40C2
Intel
XC6VHX380T-1FFG1155C
Xilinx Inc.
XC5VLX85-1FF676C
Xilinx Inc.
AGL1000V5-CSG281I
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HE-6BG332I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090U4F45E3LG
Intel
10AX115H2F34I2SG
Intel
EP4CE30F29I8L
Intel