casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Zener - Single / 1N6000B TR
codice articolo del costruttore | 1N6000B TR |
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Numero di parte futuro | FT-1N6000B TR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
1N6000B TR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Voltage - Zener (Nom) (Vz) | 10V |
Tolleranza | ±5% |
Potenza - Max | 500mW |
Impedenza (Max) (Zzt) | 15 Ohms |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100nA @ 8V |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.5V @ 100mA |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 200°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | DO-204AH, DO-35, Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-35 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N6000B TR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 1N6000B TR-FT |
1N5918A
Microsemi Corporation
1N5918B
Microsemi Corporation
1N5920B
Microsemi Corporation
1N5920C
Microsemi Corporation
1N5921B
Microsemi Corporation
1N5922B
Microsemi Corporation
1N5925B
Microsemi Corporation
1N5925D
Microsemi Corporation
1N5929A
Microsemi Corporation
1N5929B
Microsemi Corporation
XC4VFX140-11FF1517C
Xilinx Inc.
AFS1500-FGG484I
Microsemi Corporation
M2GL050-1FGG484
Microsemi Corporation
AGLE600V2-FG256
Microsemi Corporation
EP1K10TC100-3
Intel
EPF10K100AFC484-3
Intel
10AX032H2F34I2LG
Intel
5SGXEA5K3F35I4N
Intel
LCMXO3LF-4300E-5MG121C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMB3G4F35C5N
Intel