casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Zener - Single / 1N5917B G
codice articolo del costruttore | 1N5917B G |
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Numero di parte futuro | FT-1N5917B G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
1N5917B G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Voltage - Zener (Nom) (Vz) | 4.7V |
Tolleranza | ±5% |
Potenza - Max | 1.25W |
Impedenza (Max) (Zzt) | 5 Ohms |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 1.5V |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.2V @ 200mA |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 175°C |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | DO-204AL, DO-41, Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-204AL (DO-41) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N5917B G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 1N5917B G-FT |
1N5913AP/TR12
Microsemi Corporation
1N5913AP/TR8
Microsemi Corporation
1N5913APE3/TR12
Microsemi Corporation
1N5913APE3/TR8
Microsemi Corporation
1N5913BE3/TR13
Microsemi Corporation
1N5913BP/TR12
Microsemi Corporation
1N5913BP/TR8
Microsemi Corporation
1N5913BPE3/TR12
Microsemi Corporation
1N5913BPE3/TR8
Microsemi Corporation
1N5913C G
Microsemi Corporation
LFXP6E-3TN144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX75-L1FGG676I
Xilinx Inc.
XC3S50-5PQ208C
Xilinx Inc.
XC2S150-6FG456C
Xilinx Inc.
10AX016C4U19E3LG
Intel
EP4CE55F23C7
Intel
5SGXEA4H3F35I4N
Intel
XC7VX980T-1FFG1926C
Xilinx Inc.
XC6SLX45-N3CSG324C
Xilinx Inc.
EPF10K50RC240-3
Intel