casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / 1N5822-E3/54
codice articolo del costruttore | 1N5822-E3/54 |
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Numero di parte futuro | FT-1N5822-E3/54 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
1N5822-E3/54 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 40V |
Corrente: media rettificata (Io) | 3A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 525mV @ 3A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 2mA @ 40V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | DO-201AD, Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-201AD |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 125°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N5822-E3/54 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 1N5822-E3/54-FT |
VS-15ETX06PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-15TQ060-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-15TQ060PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-18TQ035-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-18TQ035PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-18TQ040-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-18TQ040PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-18TQ045-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-18TQ045PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-18TT045-F
Vishay Semiconductor Diodes Division
A3P015-1QNG68
Microsemi Corporation
AFS600-FGG484K
Microsemi Corporation
A40MX02-2PLG68
Microsemi Corporation
10CL040ZU484I8G
Intel
EPF10K30EFC484-3
Intel
EP4SGX360KF43C3N
Intel
5SGXEA9K2H40C2N
Intel
XC6VLX130T-1FFG784I
Xilinx Inc.
XC6VLX130T-3FFG784C
Xilinx Inc.
5CGXFC4C6U19I7N
Intel