casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / 1N5819M-13
codice articolo del costruttore | 1N5819M-13 |
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Numero di parte futuro | FT-1N5819M-13 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
1N5819M-13 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 40V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 600mV @ 1A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1mA @ 40V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-213AB, MELF (Glass) |
Pacchetto dispositivo fornitore | MELF |
Temperatura operativa - Giunzione | -60°C ~ 125°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N5819M-13 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 1N5819M-13-FT |
FR805
Diodes Incorporated
MBR1030
Diodes Incorporated
MBR1040
Diodes Incorporated
MBR1630
Diodes Incorporated
MBR1640
Diodes Incorporated
MBR730
Diodes Incorporated
MBR740
Diodes Incorporated
SBL1030
Diodes Incorporated
SBL1035
Diodes Incorporated
SBL1040
Diodes Incorporated
XC6SLX9-L1FT256C
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XCKU040-1FBVA900I
Xilinx Inc.
M2GL010T-1VFG256I
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-3FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
10M40DAF256I6G
Intel
XC7A35T-1CSG324C
Xilinx Inc.
LFE2-20E-5F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HE-4MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115N2F40I2LG
Intel
EP4CE30F29I7
Intel