casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / 1N5819-E3/51
codice articolo del costruttore | 1N5819-E3/51 |
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Numero di parte futuro | FT-1N5819-E3/51 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
1N5819-E3/51 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 40V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 600mV @ 1A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1mA @ 40V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | DO-204AL, DO-41, Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-204AL (DO-41) |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 125°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N5819-E3/51 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 1N5819-E3/51-FT |
1N4007GPEHE3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N4007GPEHE3/91
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N4007GPHE3/53
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N4007GPHE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N4007GPHE3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N4007GPHM3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N4007GPHM3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N4246GP-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N4246GP-E3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N4246GP-M3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
A54SX32A-1TQG144I
Microsemi Corporation
AT40K20LV-3BQI
Microchip Technology
M2GL025TS-1FCSG325
Microsemi Corporation
A3P600-1FGG484
Microsemi Corporation
A3PN010-QNG48I
Microsemi Corporation
A3PE600-FG256I
Microsemi Corporation
M1A3P400-2PQ208I
Microsemi Corporation
10M04SCE144C8G
Intel
5SGXMA9N3F45I3N
Intel
XC5VLX110T-3FFG1738C
Xilinx Inc.