casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / 1N5807US
codice articolo del costruttore | 1N5807US |
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Numero di parte futuro | FT-1N5807US |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
1N5807US Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 50V |
Corrente: media rettificata (Io) | 6A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 875mV @ 4A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 30ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 50V |
Capacità @ Vr, F | 60pF @ 5V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SQ-MELF |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Temperatura operativa - Giunzione | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N5807US Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 1N5807US-FT |
VS-MURB820-1HM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MURB820HM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MURB820TRLHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MURB820TRRHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-SD1100C22C
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-SD1100C22L
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-SD1100C28J
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-SD1100C30C
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-SD1100C30L
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-SD1100C32J
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO2-4000ZE-3TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX150-N3FG676I
Xilinx Inc.
APA600-PQG208I
Microsemi Corporation
EP1S10F484C5N
Intel
EP1S10F484C6
Intel
A54SX32A-TQ100M
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-3M132I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090U3F45I2LG
Intel
5CGXFC4C6M13C7N
Intel
EP3C55F780C7
Intel