casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / 1N5806E3/TR
codice articolo del costruttore | 1N5806E3/TR |
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Numero di parte futuro | FT-1N5806E3/TR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
1N5806E3/TR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 150V |
Corrente: media rettificata (Io) | 2.5A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 975mV @ 2.5A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 25ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1µA @ 150V |
Capacità @ Vr, F | 25pF @ 10V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | A, Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | A, Axial |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N5806E3/TR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 1N5806E3/TR-FT |
1N4004SP AP-RPCU
Central Semiconductor Corp
1N4004SP TR-RPCU
Central Semiconductor Corp
1N4005 BK
Central Semiconductor Corp
1N4005 TR
Central Semiconductor Corp
1N4005G BK
Central Semiconductor Corp
1N4005GA0
Taiwan Semiconductor Corporation
1N4005GPE-M3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N4005GR0
Taiwan Semiconductor Corporation
1N4006G BK
Central Semiconductor Corp
1N4006GA0
Taiwan Semiconductor Corporation
A3P400-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
10M50DCF256C7G
Intel
5SGXEA7N2F40C2N
Intel
EP3SE260H780I3
Intel
XC7V585T-1FF1761I
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2-20E-7FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C25F324C6
Intel
5SGXEA3H1F35C2N
Intel