casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - RF / 1N5711WS-13
codice articolo del costruttore | 1N5711WS-13 |
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Numero di parte futuro | FT-1N5711WS-13 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
1N5711WS-13 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Diodo | Schottky - Single |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 70V |
Corrente - max | 15mA |
Capacità @ Vr, F | 2pF @ 0V, 1MHz |
Resistenza @ Se, F | - |
Dissipazione di potenza (max) | 150mW |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 125°C (TJ) |
Pacchetto / caso | SC-76, SOD-323 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOD-323 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N5711WS-13 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 1N5711WS-13-FT |
BAT 63-02V E6327
Infineon Technologies
BAR6303WE6327HTSA1
Infineon Technologies
BA592E6327HTSA1
Infineon Technologies
BAR6403WE6327HTSA1
Infineon Technologies
BAR6503WE6327HTSA1
Infineon Technologies
BAT1503WE6327HTSA1
Infineon Technologies
BA 595 B6327
Infineon Technologies
BA592E6433HTMA1
Infineon Technologies
BA595E6327HTSA1
Infineon Technologies
BA595E6433HTMA1
Infineon Technologies
A40MX04-VQG80A
Microsemi Corporation
A3PN060-VQ100
Microsemi Corporation
EP3C40U484C7N
Intel
5SGXMABK3H40C2LN
Intel
EP4SGX530KH40C3NES
Intel
XC4036XL-3HQ208C
Xilinx Inc.
AGLP030V5-CS289
Microsemi Corporation
LFXP6E-5QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3LF-1300E-5MG121I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGTMC3D3F31I5N
Intel