casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / 1N5625-TR
codice articolo del costruttore | 1N5625-TR |
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Numero di parte futuro | FT-1N5625-TR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
1N5625-TR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Avalanche |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 400V |
Corrente: media rettificata (Io) | 3A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1V @ 3A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 3µs |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1µA @ 400V |
Capacità @ Vr, F | 60pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | SOD-64, Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOD-64 |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N5625-TR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 1N5625-TR-FT |
BAS285-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS285-GS18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS286-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS286-GS18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAV200-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAV200-GS18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAV201-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAV201-GS18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAV202-GS18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAV203-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC2S30-6TQG144C
Xilinx Inc.
LCMXO2280E-4FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA3K3F40I3N
Intel
5SGXEB5R2F40C2L
Intel
5SGXMA5H1F35I2N
Intel
EP4SE360F35I3N
Intel
XC5VLX50T-2FFG665I
Xilinx Inc.
AGL600V5-CS281I
Microsemi Corporation
EP20K1000EBC652-1
Intel
EPF10K130EQC240-2
Intel