codice articolo del costruttore | 1N5415 |
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Numero di parte futuro | FT-1N5415 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
1N5415 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 50V |
Corrente: media rettificata (Io) | 4.5A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 3A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 150ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1µA @ 50V |
Capacità @ Vr, F | 550pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | Axial |
Temperatura operativa - Giunzione | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N5415 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 1N5415-FT |
1N3169
Powerex Inc.
1N3169R
Powerex Inc.
1N3170
Powerex Inc.
1N3170R
Powerex Inc.
1N3171
Powerex Inc.
1N3171R
Powerex Inc.
1N3172
Powerex Inc.
1N3172R
Powerex Inc.
1N3173
Powerex Inc.
1N3173R
Powerex Inc.
XC6SLX4-2TQG144I
Xilinx Inc.
A54SX08-2TQ144I
Microsemi Corporation
XCVU095-H1FFVC1517E
Xilinx Inc.
EPF10K130EFC672-2X
Intel
10AX027E3F27E2SG
Intel
EP3SL110F1152C4LN
Intel
XC4005XL-1PC84C
Xilinx Inc.
LFE2-6SE-6F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-4MN132C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX180HF35C4
Intel