codice articolo del costruttore | 1N5407 |
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Numero di parte futuro | FT-1N5407 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
1N5407 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 800V |
Corrente: media rettificata (Io) | 3A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1V @ 3A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 800V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | DO-201AA, DO-27, Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-201AD |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 170°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N5407 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 1N5407-FT |
UPR5/TR13
Microsemi Corporation
UPR5/TR7
Microsemi Corporation
UPR5E3/TR13
Microsemi Corporation
UPR5E3/TR7
Microsemi Corporation
UPR60/TR13
Microsemi Corporation
UPR60/TR7
Microsemi Corporation
UPR60E3/TR13
Microsemi Corporation
UPR60E3/TR7
Microsemi Corporation
UPS1040/TR13
Microsemi Corporation
UPS115U/TR13
Microsemi Corporation
A1020B-2VQ80C
Microsemi Corporation
LFE3-17EA-6FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-5FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN250-Z2VQG100
Microsemi Corporation
EP2C50F484C6N
Intel
EP4SGX290KF40I4N
Intel
XC6VHX250T-2FFG1154I
Xilinx Inc.
10AX090S4F45E3SG
Intel
10AX115H3F34I2LG
Intel
EP3CLS200F780C8
Intel