codice articolo del costruttore | 1N5406 |
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Numero di parte futuro | FT-1N5406 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
1N5406 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
Corrente: media rettificata (Io) | 3A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.2V @ 3A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 600V |
Capacità @ Vr, F | 30pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | DO-201AD, Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-201AD |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N5406 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 1N5406-FT |
1N3671AR
GeneSiC Semiconductor
1N3214R
GeneSiC Semiconductor
S85J
GeneSiC Semiconductor
1N3214
GeneSiC Semiconductor
1N2138AR
GeneSiC Semiconductor
1N2138A
GeneSiC Semiconductor
1N2131A
GeneSiC Semiconductor
1N2130AR
GeneSiC Semiconductor
1N2130A
GeneSiC Semiconductor
1N1206A
GeneSiC Semiconductor
A40MX04-VQ80A
Microsemi Corporation
XC2VP30-5FGG676C
Xilinx Inc.
APA750-BG456I
Microsemi Corporation
AFS250-FGG256
Microsemi Corporation
AGLN125V5-VQ100I
Microsemi Corporation
5SGSED8N2F45I3LN
Intel
EP3SE80F1152C3N
Intel
10AX057K3F35E2LG
Intel
EP1S40F780I6
Intel
EP1SGX40GF1020C6
Intel