casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / 1N5406-E3/54
codice articolo del costruttore | 1N5406-E3/54 |
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Numero di parte futuro | FT-1N5406-E3/54 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
1N5406-E3/54 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
Corrente: media rettificata (Io) | 3A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.2V @ 3A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 600V |
Capacità @ Vr, F | 30pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | DO-201AD, Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-201AD |
Temperatura operativa - Giunzione | -50°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N5406-E3/54 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 1N5406-E3/54-FT |
MBR745HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MUR1520
Vishay Semiconductor Diodes Division
MUR820
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-10TQ035-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-10TQ035PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-10TQ040-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-10TQ040PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-10TQ045-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-10TQ045PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-12TQ035-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO1200E-3T100C
Lattice Semiconductor Corporation
MPF300TS-1FCG484I
Microsemi Corporation
EP1S20F672C6
Intel
EPF10K100ABI600-2
Intel
EP3C25F256A7N
Intel
5SGXMA4K2F40C1N
Intel
10CL016ZE144I8G
Intel
5AGXMA3D4F27I3N
Intel
A54SX08A-TQG100
Microsemi Corporation
5CGTFD9C5F23I7N
Intel