casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / 1N5401G
codice articolo del costruttore | 1N5401G |
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Numero di parte futuro | FT-1N5401G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
1N5401G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Corrente: media rettificata (Io) | 3A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1V @ 3A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 100V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | DO-201AA, DO-27, Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | Axial |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N5401G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 1N5401G-FT |
UPS120E/TR13
Microsemi Corporation
UPS120E/TR7
Microsemi Corporation
UPS120E3/TR13
Microsemi Corporation
UPS120EE3/TR13
Microsemi Corporation
UPS120EE3/TR7
Microsemi Corporation
UPS140/TR13
Microsemi Corporation
UPS140E3/TR13
Microsemi Corporation
UPS160/TR13
Microsemi Corporation
UPS160/TR7
Microsemi Corporation
UPS160E3/TR13
Microsemi Corporation
XC7A50T-1CSG325I
Xilinx Inc.
A54SX16P-1VQG100I
Microsemi Corporation
XC5VLX155T-1FFG1738I
Xilinx Inc.
A40MX04-PL84A
Microsemi Corporation
10AX115U2F45E2SG
Intel
10M04SCM153I7G
Intel
EP2AGX190FF35I5G
Intel
EP3SL50F780C3
Intel
EP20K100CQ240C7ES
Intel
EP1SGX25DF1020C7N
Intel