casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / 1N5401-E3/54
codice articolo del costruttore | 1N5401-E3/54 |
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Numero di parte futuro | FT-1N5401-E3/54 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
1N5401-E3/54 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Corrente: media rettificata (Io) | 3A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.2V @ 3A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 100V |
Capacità @ Vr, F | 30pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | DO-201AD, Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-201AD |
Temperatura operativa - Giunzione | -50°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N5401-E3/54 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 1N5401-E3/54-FT |
VS-6TQ040-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-6TQ040PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-6TQ045-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-8ETH03-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-8ETH06-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-8ETH06PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-8ETL06-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-8ETU04-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-8ETU04PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-8ETX06-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division
A40MX02-1VQ80M
Microsemi Corporation
XC4010XL-2PQ100C
Xilinx Inc.
A3P1000-PQ208M
Microsemi Corporation
A40MX04-3PL68
Microsemi Corporation
APA600-FG676
Microsemi Corporation
A40MX02-1PQ100
Microsemi Corporation
LFE3-70EA-8FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-70EA-9FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-17EA-7FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K4F35I3LG
Intel