casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / 1N5400GHB0G
codice articolo del costruttore | 1N5400GHB0G |
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Numero di parte futuro | FT-1N5400GHB0G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
1N5400GHB0G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 50V |
Corrente: media rettificata (Io) | 3A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 3A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 50V |
Capacità @ Vr, F | 25pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | DO-201AD, Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-201AD |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N5400GHB0G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 1N5400GHB0G-FT |
SF43G R0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF43GHR0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF44G R0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF44GHR0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF45G R0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF45GHR0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF46G R0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF46GHR0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF47G R0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF47GHR0G
Taiwan Semiconductor Corporation
XC7S100-1FGGA484C
Xilinx Inc.
M1A3P1000-2FG256
Microsemi Corporation
LFE2M70E-6F1152C
Lattice Semiconductor Corporation
AT6003-2AI
Microchip Technology
EP1S20F484I6N
Intel
XC2VP40-6FFG1152C
Xilinx Inc.
AT6003-2JC
Microchip Technology
10AX115S2F45I2LG
Intel
EPF10K100ABC356-3
Intel
EP1C12F324C6
Intel