casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / 1N5393GHB0G
codice articolo del costruttore | 1N5393GHB0G |
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Numero di parte futuro | FT-1N5393GHB0G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
1N5393GHB0G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1.5A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1V @ 1.5A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 200V |
Capacità @ Vr, F | 15pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | DO-204AC, DO-15, Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-204AC (DO-15) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N5393GHB0G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 1N5393GHB0G-FT |
1N5397G R0G
Taiwan Semiconductor Corporation
1N5397GHR0G
Taiwan Semiconductor Corporation
1N5398G R0G
Taiwan Semiconductor Corporation
1N5398GHR0G
Taiwan Semiconductor Corporation
1N5399G R0G
Taiwan Semiconductor Corporation
1N5399GHR0G
Taiwan Semiconductor Corporation
2A01G R0G
Taiwan Semiconductor Corporation
2A01GHR0G
Taiwan Semiconductor Corporation
2A02G R0G
Taiwan Semiconductor Corporation
2A02GHR0G
Taiwan Semiconductor Corporation
A3P125-2PQ208I
Microsemi Corporation
EP3SL50F484I4N
Intel
10M16DAF256I7G
Intel
EP1K30FC256-2N
Intel
EP3SE80F1152C2
Intel
XC7K160T-2FF676C
Xilinx Inc.
AGLP060V2-CS289
Microsemi Corporation
LFXP2-5E-5QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-3BN256I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA3D4F31I3G
Intel