casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Zener - Single / 1N5387BE3/TR12
codice articolo del costruttore | 1N5387BE3/TR12 |
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Numero di parte futuro | FT-1N5387BE3/TR12 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
1N5387BE3/TR12 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Voltage - Zener (Nom) (Vz) | 190V |
Tolleranza | ±5% |
Potenza - Max | 5W |
Impedenza (Max) (Zzt) | 450 Ohms |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 500nA @ 137V |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.2V @ 1A |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | T-18, Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | T-18 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N5387BE3/TR12 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 1N5387BE3/TR12-FT |
1N5382C/TR8
Microsemi Corporation
1N5382CE3/TR12
Microsemi Corporation
1N5382CE3/TR13
Microsemi Corporation
1N5382CE3/TR8
Microsemi Corporation
1N5382E3/TR12
Microsemi Corporation
1N5382E3/TR13
Microsemi Corporation
1N5382E3/TR8
Microsemi Corporation
1N5383/TR12
Microsemi Corporation
1N5383/TR8
Microsemi Corporation
1N5383A/TR12
Microsemi Corporation
LCMXO2-640HC-4SG48I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2C20F484C6N
Intel
10M40DCF484C7G
Intel
10M50DCF484I6G
Intel
EPF10K50SFC484-1
Intel
10M40SCE144I7G
Intel
5SGSED8N2F45I2L
Intel
5SGXEA7H3F35I4N
Intel
LFE2-6E-5FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX125EF35C4N
Intel