casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Zener - Single / 1N5367/TR8
codice articolo del costruttore | 1N5367/TR8 |
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Numero di parte futuro | FT-1N5367/TR8 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
1N5367/TR8 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Voltage - Zener (Nom) (Vz) | 43V |
Tolleranza | ±20% |
Potenza - Max | 5W |
Impedenza (Max) (Zzt) | 20 Ohms |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 500nA @ 31V |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.2V @ 1A |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | T-18, Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | T-18 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N5367/TR8 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 1N5367/TR8-FT |
1N5361/TR8
Microsemi Corporation
1N5361A/TR12
Microsemi Corporation
1N5361A/TR8
Microsemi Corporation
1N5361AE3/TR12
Microsemi Corporation
1N5361AE3/TR13
Microsemi Corporation
1N5361AE3/TR8
Microsemi Corporation
1N5361B/TR12
Microsemi Corporation
1N5361B/TR8
Microsemi Corporation
1N5361BE3/TR12
Microsemi Corporation
1N5361BE3/TR13
Microsemi Corporation
XCV200E-7FG456I
Xilinx Inc.
AX250-FGG484I
Microsemi Corporation
EP20K300EFC672-1X
Intel
EP4CE40F23A7N
Intel
10M16DCF256C8G
Intel
EP2AGX65DF25C5
Intel
5SGXMA3K2F35C1N
Intel
A54SX16A-1TQG100M
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HE-4FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGZME1H2F35C3N
Intel