casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Zener - Single / 1N5357BE3/TR12
codice articolo del costruttore | 1N5357BE3/TR12 |
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Numero di parte futuro | FT-1N5357BE3/TR12 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
1N5357BE3/TR12 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Voltage - Zener (Nom) (Vz) | 20V |
Tolleranza | ±5% |
Potenza - Max | 5W |
Impedenza (Max) (Zzt) | 3 Ohms |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 500nA @ 14.4V |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.2V @ 1A |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | T-18, Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | T-18 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N5357BE3/TR12 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 1N5357BE3/TR12-FT |
1N5352B/TR8
Microsemi Corporation
1N5352BE3/TR12
Microsemi Corporation
1N5352BE3/TR13
Microsemi Corporation
1N5352BE3/TR8
Microsemi Corporation
1N5352C/TR12
Microsemi Corporation
1N5352C/TR8
Microsemi Corporation
1N5352CE3/TR12
Microsemi Corporation
1N5352CE3/TR13
Microsemi Corporation
1N5352CE3/TR8
Microsemi Corporation
1N5352E3/TR12
Microsemi Corporation
XC3S1600E-4FG484I
Xilinx Inc.
APA1000-PQ208M
Microsemi Corporation
5SGXMA3K2F35I3LN
Intel
XC5VLX30-2FF324C
Xilinx Inc.
A42MX24-3PL84I
Microsemi Corporation
A40MX04-1PQG100
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HC-5BG332I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE80F780C2
Intel
EP4CE55F29C6
Intel
5SGXMA3H2F35C2N
Intel