casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Zener - Single / 1N5261B-TAP
codice articolo del costruttore | 1N5261B-TAP |
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Numero di parte futuro | FT-1N5261B-TAP |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
1N5261B-TAP Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Voltage - Zener (Nom) (Vz) | 47V |
Tolleranza | ±5% |
Potenza - Max | 500mW |
Impedenza (Max) (Zzt) | 105 Ohms |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100nA @ 36V |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 200mA |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 175°C |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | DO-204AH, DO-35, Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-35 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N5261B-TAP Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 1N5261B-TAP-FT |
BZX55C3V6-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX55C3V9-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX55C3V9-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX55C47-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX55C5V1-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX55C5V6-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX55C6V8-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX55C7V5-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
TZX15B-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
TZX2V4A-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC3S400AN-4FT256C
Xilinx Inc.
EPF10K10ATC100-3
Intel
EP3SE50F484C4N
Intel
M1AGL600V5-CS281I
Microsemi Corporation
A40MX04-PQ100M
Microsemi Corporation
LFE2M100E-7F900C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-3B256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-70E-8FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX057K2F35I2SG
Intel
5AGXMB7G6F35C6N
Intel