codice articolo del costruttore | 1N5182 |
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Numero di parte futuro | FT-1N5182 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
1N5182 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Discontinued at Future Semiconductor |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 5000V |
Corrente: media rettificata (Io) | 100mA |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 10V @ 100mA |
Velocità | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 5000V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | S, Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | S, Axial |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N5182 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 1N5182-FT |
1N4002-N-0-1-BP
Micro Commercial Co
1N4002-N-0-2-BP
Micro Commercial Co
1N4002-N-0-3-AP
Micro Commercial Co
1N4002-N-0-4-AP
Micro Commercial Co
1N4002-N-2-1-BP
Micro Commercial Co
1N4002-N-2-2-BP
Micro Commercial Co
1N4002-N-2-3-AP
Micro Commercial Co
1N4002-N-2-4-AP
Micro Commercial Co
1N4002G BK
Central Semiconductor Corp
1N4002GPE-M3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
A1020B-2VQ80C
Microsemi Corporation
LFE3-17EA-6FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-5FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN250-Z2VQG100
Microsemi Corporation
EP2C50F484C6N
Intel
EP4SGX290KF40I4N
Intel
XC6VHX250T-2FFG1154I
Xilinx Inc.
10AX090S4F45E3SG
Intel
10AX115H3F34I2LG
Intel
EP3CLS200F780C8
Intel