casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Zener - Single / 1N4970US
codice articolo del costruttore | 1N4970US |
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Numero di parte futuro | FT-1N4970US |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
1N4970US Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Voltage - Zener (Nom) (Vz) | 33V |
Tolleranza | ±5% |
Potenza - Max | 5W |
Impedenza (Max) (Zzt) | 10 Ohms |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 2µA @ 25.1V |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.5V @ 1A |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 175°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | E-MELF |
Pacchetto dispositivo fornitore | D-5B |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N4970US Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 1N4970US-FT |
SMAJ4482CE3/TR13
Microsemi Corporation
SMAJ4482E3/TR13
Microsemi Corporation
SMAJ4483CE3/TR13
Microsemi Corporation
SMAJ4483E3/TR13
Microsemi Corporation
SMAJ4484CE3/TR13
Microsemi Corporation
SMAJ4484E3/TR13
Microsemi Corporation
SMAJ4485CE3/TR13
Microsemi Corporation
SMAJ4485E3/TR13
Microsemi Corporation
SMAJ4486CE3/TR13
Microsemi Corporation
SMAJ4486E3/TR13
Microsemi Corporation
XCV200E-7FG456I
Xilinx Inc.
AX250-FGG484I
Microsemi Corporation
EP20K300EFC672-1X
Intel
EP4CE40F23A7N
Intel
10M16DCF256C8G
Intel
EP2AGX65DF25C5
Intel
5SGXMA3K2F35C1N
Intel
A54SX16A-1TQG100M
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HE-4FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGZME1H2F35C3N
Intel