casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Zener - Single / 1N4747A-TAP
codice articolo del costruttore | 1N4747A-TAP |
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Numero di parte futuro | FT-1N4747A-TAP |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
1N4747A-TAP Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Voltage - Zener (Nom) (Vz) | 20V |
Tolleranza | ±5% |
Potenza - Max | 1.3W |
Impedenza (Max) (Zzt) | 22 Ohms |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 15.2V |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.2V @ 200mA |
temperatura di esercizio | 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | DO-204AL, DO-41, Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-204AL (DO-41) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N4747A-TAP Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 1N4747A-TAP-FT |
SMZJ3795AHE3/52
Vishay Semiconductor Diodes Division
SMZJ3795AHE3/5B
Vishay Semiconductor Diodes Division
SMZJ3796A-E3/52
Vishay Semiconductor Diodes Division
SMZJ3796A-E3/5B
Vishay Semiconductor Diodes Division
SMZJ3796AHE3/52
Vishay Semiconductor Diodes Division
SMZJ3796AHE3/5B
Vishay Semiconductor Diodes Division
SMZJ3797A-E3/52
Vishay Semiconductor Diodes Division
SMZJ3797A-E3/5B
Vishay Semiconductor Diodes Division
SMZJ3797AHE3/52
Vishay Semiconductor Diodes Division
SMZJ3797AHE3/5B
Vishay Semiconductor Diodes Division
LFXP6E-3TN144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX75-L1FGG676I
Xilinx Inc.
XC3S50-5PQ208C
Xilinx Inc.
XC2S150-6FG456C
Xilinx Inc.
10AX016C4U19E3LG
Intel
EP4CE55F23C7
Intel
5SGXEA4H3F35I4N
Intel
XC7VX980T-1FFG1926C
Xilinx Inc.
XC6SLX45-N3CSG324C
Xilinx Inc.
EPF10K50RC240-3
Intel