casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Zener - Single / 1N4737P/TR8
codice articolo del costruttore | 1N4737P/TR8 |
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Numero di parte futuro | FT-1N4737P/TR8 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
1N4737P/TR8 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Voltage - Zener (Nom) (Vz) | 7.5V |
Tolleranza | ±10% |
Potenza - Max | 1W |
Impedenza (Max) (Zzt) | 4 Ohms |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 5V |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.2V @ 200mA |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | DO-204AL, DO-41, Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-204AL (DO-41) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N4737P/TR8 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 1N4737P/TR8-FT |
1N4914
Microsemi Corporation
1N4914A
Microsemi Corporation
1N4915
Microsemi Corporation
1N4915A
Microsemi Corporation
1N957A
Microsemi Corporation
1N961A
Microsemi Corporation
1N964A
Microsemi Corporation
1N965A
Microsemi Corporation
1N967A
Microsemi Corporation
1N968A
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-3T144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1400A-4FGG484C
Xilinx Inc.
A3P1000-1FG256M
Microsemi Corporation
5SGXEA7K1F35C1N
Intel
XC7VX485T-2FFG1761C
Xilinx Inc.
XC6VLX130T-2FF1156I
Xilinx Inc.
XC7S25-L1CSGA324I
Xilinx Inc.
LCMXO640E-4MN100I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000HE-6BG332C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HE-5FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation