casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Zener - Single / 1N4737AP/TR12
codice articolo del costruttore | 1N4737AP/TR12 |
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Numero di parte futuro | FT-1N4737AP/TR12 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
1N4737AP/TR12 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Voltage - Zener (Nom) (Vz) | 7.5V |
Tolleranza | ±5% |
Potenza - Max | 1W |
Impedenza (Max) (Zzt) | 4 Ohms |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 5V |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.2V @ 200mA |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | DO-204AL, DO-41, Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-204AL (DO-41) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N4737AP/TR12 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 1N4737AP/TR12-FT |
1N4909A
Microsemi Corporation
1N4910
Microsemi Corporation
1N4910A
Microsemi Corporation
1N4911
Microsemi Corporation
1N4911A
Microsemi Corporation
1N4912
Microsemi Corporation
1N4912A
Microsemi Corporation
1N4913
Microsemi Corporation
1N4913A
Microsemi Corporation
1N4914
Microsemi Corporation
XA3S500E-4CPG132Q
Xilinx Inc.
LFE3-17EA-8LFTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
AT40K20LV-3CQI
Microchip Technology
EP4SE820H40I3N
Intel
XC4020E-2HQ208I
Xilinx Inc.
XC6SLX4-2CSG225C
Xilinx Inc.
AGL1000V5-CSG281
Microsemi Corporation
LFEC3E-3FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
10M02SCM153C8G
Intel
EPF10K50VBI356-4
Intel