casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / 1N459A_T50R
codice articolo del costruttore | 1N459A_T50R |
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Numero di parte futuro | FT-1N459A_T50R |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
1N459A_T50R Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Corrente: media rettificata (Io) | 500mA |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1V @ 100mA |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 25nA @ 175V |
Capacità @ Vr, F | 6pF @ 0V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | DO-204AH, DO-35, Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-35 |
Temperatura operativa - Giunzione | 175°C (Max) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N459A_T50R Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 1N459A_T50R-FT |
1N4148WS
ON Semiconductor
1N914BWS
ON Semiconductor
1N4448WS
ON Semiconductor
1N3070TR
ON Semiconductor
1N4149
ON Semiconductor
1N4447
ON Semiconductor
1N457TR
ON Semiconductor
1N914B
ON Semiconductor
1N914TR
ON Semiconductor
BAX16
ON Semiconductor
XCV1000E-6FG900I
Xilinx Inc.
A54SX72A-PQG208
Microsemi Corporation
AGL250V2-VQG100I
Microsemi Corporation
EP4SGX290NF45C2
Intel
5SGXEB6R2F43I2LN
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5SGSMD5H3F35C2N
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LFE2M50SE-5FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M20SE-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K1000CB652C7
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5SGSMD3H2F35I2LN
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