casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / 1N4531,113
codice articolo del costruttore | 1N4531,113 |
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Numero di parte futuro | FT-1N4531,113 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
1N4531,113 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 75V |
Corrente: media rettificata (Io) | 200mA (DC) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1V @ 10mA |
Velocità | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tempo di recupero inverso (trr) | 4ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 25nA @ 20V |
Capacità @ Vr, F | 4pF @ 0V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | DO-204AG, DO-34, Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-34 |
Temperatura operativa - Giunzione | 200°C (Max) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N4531,113 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 1N4531,113-FT |
FESF8DT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
FESF8DTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
FESF8FT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
FESF8FTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
FESF8GT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
FESF8GTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
FESF8HT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
FESF8HTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
FESF8JT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
FESF8JTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
EPF10K20TC144-3N
Intel
LFE2-20SE-6QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
AGLN250V5-ZCSG81
Microsemi Corporation
A42MX16-2PQ208I
Microsemi Corporation
A3P250L-1VQ100
Microsemi Corporation
EP20K100EFC144-1
Intel
10AX032H4F35E3SG
Intel
XC7VX1140T-1FLG1926C
Xilinx Inc.
10AX090R1F40E1SG
Intel
EP3SL70F780C3
Intel