casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / 1N4448HWT-7
codice articolo del costruttore | 1N4448HWT-7 |
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Numero di parte futuro | FT-1N4448HWT-7 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
1N4448HWT-7 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 80V |
Corrente: media rettificata (Io) | 125mA |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1V @ 100mA |
Velocità | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tempo di recupero inverso (trr) | 4ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100nA @ 80V |
Capacità @ Vr, F | 3pF @ 0.5V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SC-79, SOD-523 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOD-523 |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N4448HWT-7 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 1N4448HWT-7-FT |
ZHCS2000TC
Diodes Incorporated
SBR130SV-7
Diodes Incorporated
SBR1U30SV-7
Diodes Incorporated
SDMP0340LT-7-F
Diodes Incorporated
BAT54T-7-F
Diodes Incorporated
BAS40T-7-F
Diodes Incorporated
BAS70T-7-F
Diodes Incorporated
MMBD4448HT-7-F
Diodes Incorporated
BAS16T-7-F
Diodes Incorporated
BAS116T-7-F
Diodes Incorporated
AGL030V2-QNG68I
Microsemi Corporation
LFXP3C-4TN100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC2VP20-7FGG676C
Xilinx Inc.
5CGXBC4C7F27C8N
Intel
EP3SL200F1517I4L
Intel
5SGXMA4H3F35I3N
Intel
A40MX02-2PLG44I
Microsemi Corporation
LCMXO2-7000HE-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066H4F34I3SG
Intel
5AGXBA1D4F31C4N
Intel