casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / 1N4448,113
codice articolo del costruttore | 1N4448,113 |
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Numero di parte futuro | FT-1N4448,113 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
1N4448,113 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Corrente: media rettificata (Io) | 200mA (DC) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1V @ 100mA |
Velocità | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tempo di recupero inverso (trr) | 4ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 25nA @ 20V |
Capacità @ Vr, F | 4pF @ 0V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | DO-204AH, DO-35, Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | ALF2 |
Temperatura operativa - Giunzione | 200°C (Max) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N4448,113 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 1N4448,113-FT |
FESF16JTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
FESF8AT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
FESF8ATHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
FESF8BT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
FESF8BTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
FESF8CT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
FESF8CTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
FESF8DT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
FESF8DTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
FESF8FT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC2V1500-4FGG676C
Xilinx Inc.
XC4010E-1PQ208C
Xilinx Inc.
XC3S700AN-4FGG484C
Xilinx Inc.
AGL600V2-FGG484
Microsemi Corporation
10AX027H3F35E2LG
Intel
A1020B-PL44I
Microsemi Corporation
XCV150-6BG256C
Xilinx Inc.
XC6VHX380T-2FFG1154C
Xilinx Inc.
XC6SLX25-3CSG324I
Xilinx Inc.
EP2AGX125EF29C5NES
Intel