casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / 1N4149TR
codice articolo del costruttore | 1N4149TR |
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Numero di parte futuro | FT-1N4149TR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
1N4149TR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Corrente: media rettificata (Io) | 500mA |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1V @ 10mA |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 4ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 25nA @ 20V |
Capacità @ Vr, F | 2pF @ 0V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | DO-204AH, DO-35, Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-35 |
Temperatura operativa - Giunzione | 175°C (Max) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N4149TR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 1N4149TR-FT |
BAS2103WE6433HTMA1
Infineon Technologies
BAT 60B E6433
Infineon Technologies
BAS 16-02W E6327
Infineon Technologies
BAS 70-02W E6327
Infineon Technologies
BAS1602WH6327XTSA1
Infineon Technologies
BAS7002WH6327XTSA1
Infineon Technologies
BAT 64-02W E6327
Infineon Technologies
BAT6402WH6327XTSA1
Infineon Technologies
IDV20E65D1XKSA1
Infineon Technologies
IDV30E65D2XKSA1
Infineon Technologies
A54SX32A-1TQG144I
Microsemi Corporation
AT40K20LV-3BQI
Microchip Technology
M2GL025TS-1FCSG325
Microsemi Corporation
A3P600-1FGG484
Microsemi Corporation
A3PN010-QNG48I
Microsemi Corporation
A3PE600-FG256I
Microsemi Corporation
M1A3P400-2PQ208I
Microsemi Corporation
10M04SCE144C8G
Intel
5SGXMA9N3F45I3N
Intel
XC5VLX110T-3FFG1738C
Xilinx Inc.